产品名称: 单晶硅园切片 制造商: 美国的克萨斯计算设备公司 材料: 化学机械磨光单晶硅园切片 材料生长方法: CZ掺磷 类型: N 位错密度 < 5000 EP/cm×cm 寿命: > 微秒 定向 1-1-1 关 3-3° 直径: 1.800—2.200 英寸 (直径45.72—55.88mm) 厚度: 8.0—14.0英寸(0.2032-0.3556mm) 电阻率: 0.1—0.3欧姆.厘米 识别: 110-108-107-101-104 检验:达拉斯等人操做化学材料转移 数量: 1264片

PRODUCT NAME: SILICON WAFER MANUFACTURER: TEXAS INSTRUMENTS COUNT INCORPORATED Material: CHEMICAL MECHANICAL POLISHED SILICON WAFERS Material growth Method: CZ Dopant PHOSPHOROUS Type: N Dislocation Density<5000 EP/cm×cm Lifetime : > µsec orientation 1-1-1 off 3-3° Diameter: 1.800 to 2.200 Inches Thickness: 8.0 to 14.0 Mils Resistivity: 0.1 to 0.3 Ω cm Identification : 110-108-107-101-104 VERIFIED: chemical materials Division Dallas operations Quantity: 1264

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