中车晶闸管 KP5 600-6 光耦双向可控硅

可控硅的主要工作特性：
为了能够直观地认识可控硅的工作特性，大家先看这块示教板(图)。可控硅VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制较G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型可控硅，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。可控硅与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给可控硅阳极和控制较所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明可控硅没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制较输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明可控硅导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢；
这个实验告诉我们，要使可控硅导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制较G与阴极K之间输入一个正向触发电压。可控硅导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
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可控硅使用的10条必须要知道的规则:
1、为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门较电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的低温度考虑；
2、要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须 间，使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下必须满足上述条件；
3、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）；
4、为减少杂波吸收，门较连线长度降至低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门较和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门较间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅；
6、假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被**出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；
7、选用好的门较触发电路，避开3+象限工况，可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被**出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；
9、器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧；
10、为了长期可靠工作，应保证Rth j-a 足够低，维持Tj 不**Tjmax ,其值相应于可能的较高环境温度。