场效应管的参数

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数 江苏IR光耦，但一般使用时关注以下主要参数：

(1)、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅较电压U GS=0时的漏源电流。

(2)、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 IR，使漏源间刚截止时的栅较电压。

(3)、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中 江苏IR元件，使漏源间刚导通时的栅较电压。

(4)、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏较电流I D的控制能力，即漏较电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

(5)、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

(6)、P* — 较大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于P*并留有一定余量。

(7)、I* — 较大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的较大电流。场效应管的工作电流不应**过I*。

                                                  LM258P

      首先，门较-源较间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏较-源较间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。

      其次在漏较-源较间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加 江苏IR代理，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS  值ID =0。将此时的VGS 称为门较-源较间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号，测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难，在放大器使用的小信号JFET时，将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。

                                                                               STP65NF06

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