合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上,二极管,通过加入合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,玻封二极管,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。较 近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,55C系列二极管,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流较小;当电压**过0.6V时,1N47系列二极管,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流较小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。