同轴薄膜衰减器芯片
同轴薄膜衰减器芯片 同轴衰减器 固定衰减器
详细介绍
8同轴衰减芯片Coaxial Attenuator Chips
8.1特性Features
薄膜工艺制作的电阻网络衰减芯片Thin film resistor network attenuator chip
电极结构TaN/TiW/Ni/Au，金层厚度至少4um Metallization type: TaN/TiW/Ni/Au & 4 micron Au thickness Min.
频率高至26GHz，衰减范围1dB～90dB Working frequency up to 26GHz，Attenuation range from 1dB to 90dB
8.2运用Applications
同轴固定衰减器Coaxial Fixed Attenuator 大功率同轴固定衰减器High Power Coaxial Fixed Attenuator
8.3衰减芯片结构Figuration
8.4选型指导Selection Guide
基片种类: 99.6%氧化铝、95%氮化铝、氧化铍 Substrate material: 99.6% Al2O3 95% AlN BeO
厚度范围: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm及其它客户定制规格
Substrate thickness range: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm & other custom required size
衰减值范围:1dB to 90dB Attenuation range: 1dB to 90dB
衰减精度Attenuation Accuracy : 1dB to 20dB: +/- 0.5dB 21dB to 40dB: +/- 1.0dB
41dB to 60dB: +/- 2.0dB 61dB to 90dB: +/- 3.0dB
频率范围Fre. Range : Dc to 12Ghz; Dc to 18GHz; Dc to 26GHz
驻波比VSWR : DC to 12Ghz: 1.20Max; 12 to 18Ghz :1.25 Max; 18Ghz to 26GHz: 1.35 Max
功率Power rating: Max 100瓦
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单位注册资金单位注册资金人民币 100 万元以下。