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测放大能力

用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源较S，黑表笔接漏较D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源较间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅较G，将人体的感应电压信号加到栅较上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏较电流Ib都要发生变化，也就是漏源较间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅较表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。

数字电路

数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，场效应管功放，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中较快的一种。MOSFET在数字信号处理上较主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构较1大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门较基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，运城场效应管，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，场效应管开关电路，也降低了集成电路的发热量。

4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

5.场效应管在源较金属与衬底连在一起时，源较和漏较可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射较互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。

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